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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTY140NS10
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STY140NS10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STY140NS10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STY140NS10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STY140NS10.pdf
État RoHS
En stock: 2609

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STY140NS10
STMicroelectronics - STY140NS10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STY140NS10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MAX247™  
Séries MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc)  
Numéro de produit de base STY140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STY140NS10

Attributs du produit STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
Modèle de produit STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STY140 STY105 STY112 STY34N
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V 326 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V 9600 pF @ 100 V 16870 pF @ 100 V 9100 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) 625W (Tc) 625W (Tc) 450W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries MESH OVERLAY™ MDmesh™ II MDmesh™ V PowerMESH™
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 52A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 130mOhm @ 17A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc) 110A (Tc) 96A (Tc) 34A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 100 V 500 V 650 V 500 V

Fiche technique STY140NS10 PDF

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Feuilles de données
STY140NS10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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