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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW65N60DM6
STW65N60DM6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW65N60DM6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW65N60DM6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW65N60DM6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf
État RoHS
En stock: 6826

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW65N60DM6
STMicroelectronics - STW65N60DM6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW65N60DM6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base STW65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW65N60DM6

Attributs du produit STW65N60DM6 STW6N90K5 STW5NK100Z STW62NM60N
Modèle de produit STW65N60DM6 STW6N90K5 STW5NK100Z STW62NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) - 110W (Tc) 125W (Tc) 450W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 6A (Tc) 3.5A (Tc) 65A (Tc)
Numéro de produit de base STW65 STW6N90 STW5NK100 STW62N
Vgs (th) (Max) @ Id - 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 1.1Ohm @ 3A, 10V 3.7Ohm @ 1.75A, 10V 49mOhm @ 32.5A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries MDmesh™ DM6 MDmesh™ K5 SuperMESH3™ MDmesh™ II
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 900 V 1000 V 600 V

Fiche technique STW65N60DM6 PDF

Téléchargez STW65N60DM6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW65N60DM6 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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