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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW40N90K5
STW40N90K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW40N90K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW40N90K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW40N90K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW(A)40N90K5.pdf
État RoHS
En stock: 3475

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW40N90K5
STMicroelectronics - STW40N90K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW40N90K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3260 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base STW40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW40N90K5

Attributs du produit STW40N90K5 STW40N95DK5 STW3N170 STW40N60M2
Modèle de produit STW40N90K5 STW40N95DK5 STW3N170 STW40N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STW40 STW40 STW3N170 STW40
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 38A (Tc) 2.6A (Tc) 34A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 20A, 10V 130mOhm @ 19A, 10V 13Ohm @ 1.3A, 10V 88mOhm @ 17A, 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3260 pF @ 100 V 3480 pF @ 100 V 1100 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 900 V 950 V 1700 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc) 450W (Tc) 160mW 250W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries MDmesh™ K5 MDmesh™ DK5 PowerMESH™ MDmesh™ II Plus

Fiche technique STW40N90K5 PDF

Téléchargez STW40N90K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW40N90K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STW(A)40N90K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW40N90K5

STMicroelectronics
32D-STW40N90K5

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