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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW34NB20
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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STW34NB20 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW34NB20
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW34NB20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW34NB20.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5350

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STW34NB20
STMicroelectronics - STW34NB20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW34NB20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base STW34N  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW34NB20

Attributs du produit STW34NB20 STW32N65M5 STW34N65M5 STW34NM60N
Modèle de produit STW34NB20 STW32N65M5 STW34N65M5 STW34NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries PowerMESH™ MDmesh™ V MDmesh™ V MDmesh™ II
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 3320 pF @ 100 V 2700 pF @ 100 V 2722 pF @ 100 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 650 V 650 V 600 V
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STW34N STW32N STW34 STW34
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc) 29A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V

Fiche technique STW34NB20 PDF

Téléchargez STW34NB20 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW34NB20 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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