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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW12NK90Z
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STW12NK90Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW12NK90Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW12NK90Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STW12NK90Z.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 11876

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STW12NK90Z
STMicroelectronics - STW12NK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW12NK90Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 880mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STW12  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW12NK90Z

Attributs du produit STW12NK90Z STW13N95K3 STW12NK95Z STW12N120K5
Modèle de produit STW12NK90Z STW13N95K3 STW12NK95Z STW12N120K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries SuperMESH™ SuperMESH3™ SuperMESH™ MDmesh™ K5
Tension drain-source (Vdss) 900 V 950 V 950 V 1200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 880mOhm @ 5.5A, 10V 850mOhm @ 5A, 10V 900mOhm @ 5A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 1620 pF @ 100 V 3500 pF @ 25 V 1370 pF @ 100 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base STW12 STW13 STW12N STW12
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 190W (Tc) 230W (Tc) 250W (Tc)

Fiche technique STW12NK90Z PDF

Téléchargez STW12NK90Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW12NK90Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Feuilles de données
STW12NK90Z.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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