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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTV160NF02LAT4
STV160NF02LAT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STV160NF02LAT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STV160NF02LAT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STV160NF02LAT4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Description détaillée
Emballage
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Fiche technique
STV160NF02LA.pdf
État RoHS
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STV160NF02LAT4
STMicroelectronics - STV160NF02LAT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STV160NF02LAT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 10-PowerSO  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc)  
Package / Boîte PowerSO-10 Exposed Bottom Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc)  
Numéro de produit de base STV160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STV160NF02LAT4

Attributs du produit STV160NF02LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF03LT4 STV160NF03LA
Modèle de produit STV160NF02LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF03LT4 STV160NF03LA
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±15V ±15V ±15V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V -
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc) 210W (Tc) 210W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V -
Package / Boîte PowerSO-10 Exposed Bottom Pad PowerSO-10 Exposed Bottom Pad PowerSO-10 Exposed Bottom Pad -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V 4800 pF @ 15 V 4700 pF @ 25 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package composant fournisseur 10-PowerSO 10-PowerSO 10-PowerSO -
Séries STripFET™ STripFET™ II STripFET™ -
Numéro de produit de base STV160 STV160 STV160 -

Fiche technique STV160NF02LAT4 PDF

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Feuilles de données
STV160NF02LA.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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