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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTU6N65M2
STU6N65M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STU6N65M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STU6N65M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STU6N65M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
ST(F,P,U)6N65M2.pdf
État RoHS
En stock: 84820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STU6N65M2
STMicroelectronics - STU6N65M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU6N65M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STU6N65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU6N65M2

Attributs du produit STU6N65M2 STU7N60M2 STU7N65M2 STU6N60M2
Modèle de produit STU6N65M2 STU7N60M2 STU7N65M2 STU6N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V 950mOhm @ 2.5A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries MDmesh™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ MDmesh™ II Plus
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc) 4.5A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V 271 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V 232 pF @ 100 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STU6N65 STU7N60 STU7N65 STU6N60
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V

Fiche technique STU6N65M2 PDF

Téléchargez STU6N65M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU6N65M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
ST(F,P,U)6N65M2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STU6N65M2

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