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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTU3N45K3
STU3N45K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STU3N45K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STU3N45K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STU3N45K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STU3N45K3.pdf
État RoHS
En stock: 110840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STU3N45K3
STMicroelectronics - STU3N45K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU3N45K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 450 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc)  
Numéro de produit de base STU3N45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU3N45K3

Attributs du produit STU3N45K3 STU3LN80K5 STU3N80K5 STU3LN62K3
Modèle de produit STU3N45K3 STU3LN80K5 STU3N80K5 STU3LN62K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 2.63 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 500mA, 10V 3.25Ohm @ 1A, 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) IPAK (TO-251) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 450 V 800 V 800 V 620 V
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ K5 SuperMESH5™ SuperMESH3™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 102 pF @ 100 V 130 pF @ 100 V 386 pF @ 50 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc) 2A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
Numéro de produit de base STU3N45 STU3LN80 STU3N80 STU3L

Fiche technique STU3N45K3 PDF

Téléchargez STU3N45K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU3N45K3 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Change 03-May-2022.pdf
Feuilles de données
STU3N45K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STU3N45K3

STMicroelectronics
32D-STU3N45K3

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