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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTU10P6F6
STU10P6F6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STU10P6F6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STU10P6F6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STU10P6F6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STx10P6F6.pdf
État RoHS
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STU10P6F6
STMicroelectronics - STU10P6F6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU10P6F6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STU10P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU10P6F6

Attributs du produit STU10P6F6 STU10NM65N STU12N60M2 STU10N60M2
Modèle de produit STU10P6F6 STU10NM65N STU12N60M2 STU10N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V 480mOhm @ 4.5A, 10V 450mOhm @ 4.5A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 90W (Tc) 85W (Tc) 85W (Tc)
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ II Plus
Tension drain-source (Vdss) 60 V 650 V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 7.5A (Tc)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STU10P STU10N STU12 STU10N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V 850 pF @ 50 V 538 pF @ 100 V 400 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STU10P6F6 PDF

Téléchargez STU10P6F6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU10P6F6 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
STx10P6F6.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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