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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTT3PF30L
STT3PF30L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STT3PF30L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STT3PF30L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STT3PF30L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
STT3PF30L.pdf
État RoHS
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STT3PF30L
STMicroelectronics - STT3PF30L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STT3PF30L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-6  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Tc)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc)  
Numéro de produit de base STT3P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STT3PF30L

Attributs du produit STT3PF30L STT4PF20V STT3P2UH7 STT4P3LLH6
Modèle de produit STT3PF30L STT4PF20V STT3P2UH7 STT4P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ H6
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 4.5V 100mOhm @ 1.5A, 4.5V 56mOhm @ 2A, 10V
Numéro de produit de base STT3P STT4P STT3P STT4P3
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±10V ±8V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 4A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 500 pF @ 15 V 510 pF @ 10 V 639 pF @ 25 V
Package / Boîte SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

Fiche technique STT3PF30L PDF

Téléchargez STT3PF30L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STT3PF30L - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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