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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTSJ50NH3LL
STSJ50NH3LL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STSJ50NH3LL - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STSJ50NH3LL
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STSJ50NH3LL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
STSJ50NH3LL.pdf
État RoHS
En stock: 4120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STSJ50NH3LL
STMicroelectronics - STSJ50NH3LL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STSJ50NH3LL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base STSJ50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STSJ50NH3LL

Attributs du produit STSJ50NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ100NH3LL
Modèle de produit STSJ50NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ100NH3LL
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 25A (Tc) 100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 4450 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STSJ50 STSJ100N STSJ25 STSJ100N
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 1mA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Séries STripFET™ STripFET™ III STripFET™ II STripFET™ III
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) 70W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 6A, 10V 4.2mOhm @ 10A, 10V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC-EP 8-SOIC 8-SOIC-EP

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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