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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS7P4LLF6
STS7P4LLF6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS7P4LLF6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS7P4LLF6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS7P4LLF6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS7P4LLF6.pdf
État RoHS
En stock: 70710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS7P4LLF6
STMicroelectronics - STS7P4LLF6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS7P4LLF6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tj)  
Numéro de produit de base STS7P4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS7P4LLF6

Attributs du produit STS7P4LLF6 STS6P3LLH6 STS7PF30L STS6PF30L
Modèle de produit STS7P4LLF6 STS6P3LLH6 STS7PF30L STS6PF30L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Séries STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II STripFET™
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V 1450 pF @ 24 V 2600 pF @ 25 V 1670 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tj) 6A (Ta) 7A (Tc) 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 3A, 10V 21mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Numéro de produit de base STS7P4 STS6P3 STS7P STS6P
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta) 2.7W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique STS7P4LLF6 PDF

Téléchargez STS7P4LLF6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS7P4LLF6 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS7P4LLF6

STMicroelectronics
32D-STS7P4LLF6

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