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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSTS3DNE60L
STS3DNE60L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS3DNE60L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS3DNE60L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS3DNE60L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS3DNE60L.pdf
État RoHS
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS3DNE60L
STMicroelectronics - STS3DNE60L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS3DNE60L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base STS3D  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS3DNE60L

Attributs du produit STS3DNE60L STS3DPF60L STS35-DIS-B STS3621
Modèle de produit STS3DNE60L STS3DPF60L STS35-DIS-B STS3621
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics Sensirion SAMHOP
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A 3A - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V 630pF @ 25V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V 120mOhm @ 1.5A, 10V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC - -
Numéro de produit de base STS3D STS3D - -
Puissance - Max 2W 2W - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V 15.7nC @ 4.5V - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Séries STripFET™ STripFET™ - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -

Fiche technique STS3DNE60L PDF

Téléchargez STS3DNE60L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS3DNE60L - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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