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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTR2P3LLH6
STR2P3LLH6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STR2P3LLH6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STR2P3LLH6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STR2P3LLH6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
STR2P3LLH6.pdf
État RoHS
En stock: 238730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STR2P3LLH6
STMicroelectronics - STR2P3LLH6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STR2P3LLH6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 639 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base STR2P3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STR2P3LLH6

Attributs du produit STR2P3LLH6 STR2N2VH5 STR3A151D STR2A153D
Modèle de produit STR2P3LLH6 STR2N2VH5 STR3A151D STR2A153D
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics Sanken Sanken Electric Co., Ltd.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V - -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 2.3A (Tj) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 639 pF @ 25 V 367 pF @ 16 V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
type de FET P-Channel N-Channel - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-DIP (0.300', 7.62mm) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1A, 10V 30mOhm @ 2A, 4.5V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 4.5 V - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 115°C (TA) -
Vgs (Max) ±20V ±8V - -
Numéro de produit de base STR2P3 STR2N2 STR3A151 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Dissipation de puissance (max) 350mW (Tc) 350mW (Tc) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) - -
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 8-DIP -
Séries STripFET™ H6 STripFET™ V STR3A100 -

Fiche technique STR2P3LLH6 PDF

Téléchargez STR2P3LLH6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STR2P3LLH6 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Cover Tape Supplier 16/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
STR2P3LLH6.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STR2P3LLH6

STMicroelectronics
32D-STR2P3LLH6

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