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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTQ3N45K3-AP
STQ3N45K3-AP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STQ3N45K3-AP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STQ3N45K3-AP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STQ3N45K3-AP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique
STQ3N45K3-AP Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STQ3N45K3-AP
STMicroelectronics - STQ3N45K3-AP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STQ3N45K3-AP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 450 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc)  
Numéro de produit de base STQ3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STQ3N45K3-AP

Attributs du produit STQ3N45K3-AP STQ2NK60ZR-AP STQ1NK80ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Modèle de produit STQ3N45K3-AP STQ2NK60ZR-AP STQ1NK80ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries SuperMESH3™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 450 V 600 V 800 V 600 V
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 500mA, 10V 8Ohm @ 700mA, 10V 16Ohm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 400mA, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V
Emballer Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 160 pF @ 25 V 94 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STQ3 STQ2 STQ1NK80 STQ1NK60
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc) 400mA (Tc) 300mA (Tc) 300mA (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STQ3N45K3-AP PDF

Téléchargez STQ3N45K3-AP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STQ3N45K3-AP - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STQ3N45K3-AP Datasheet.pdf

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STQ3N45K3-AP

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32D-STQ3N45K3-AP

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