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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTQ1HN60K3-AP
STQ1HN60K3-AP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STQ1HN60K3-AP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STQ1HN60K3-AP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STQ1HN60K3-AP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique
STQ1HN60K3-AP.pdf
État RoHS
En stock: 118410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STQ1HN60K3-AP
STMicroelectronics - STQ1HN60K3-AP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STQ1HN60K3-AP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 400mA (Tc)  
Numéro de produit de base STQ1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STQ1HN60K3-AP

Attributs du produit STQ1HN60K3-AP STQ1HNK60R-AP STQ1NK80ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Modèle de produit STQ1HN60K3-AP STQ1HNK60R-AP STQ1NK80ZR-AP STQ1NK60ZR-AP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 16Ohm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 400mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 50 V 156 pF @ 25 V 160 pF @ 25 V 94 pF @ 25 V
Emballer Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Séries SuperMESH3™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 400mA (Tc) 400mA (Tc) 300mA (Tc) 300mA (Tc)
Dissipation de puissance (max) 3W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STQ1 STQ1HNK60 STQ1NK80 STQ1NK60
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 3.7V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA

Fiche technique STQ1HN60K3-AP PDF

Téléchargez STQ1HN60K3-AP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STQ1HN60K3-AP - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STQ1HN60K3-AP.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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