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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSTPSC1006D
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STPSC1006D - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STPSC1006D
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STPSC1006D
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
STPSC1006D.pdf
État RoHS
En stock: 15734

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STPSC1006D
STMicroelectronics - STPSC1006D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STPSC1006D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.75 V @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AC  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 300 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A  
Capacité à Vr, F 650pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base STPSC1006  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STPSC1006D

Attributs du produit STPSC1006D STPS8H100G-TR STPSC10H065GY-TR STPS8L30DEE-TR
Modèle de produit STPSC1006D STPS8H100G-TR STPSC10H065GY-TR STPS8L30DEE-TR
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.75 V @ 10 A 710 mV @ 8 A 1.75 V @ 10 A 500 mV @ 8 A
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V 100 V 650 V 30 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns - 0 ns -
Courant - fuite, inverse à Vr 300 µA @ 600 V 4.5 µA @ 100 V 100 µA @ 650 V 1 mA @ 30 V
Package / Boîte TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerTDFN
Package composant fournisseur TO-220AC D2PAK D²PAK PowerFlat™ (3.3x3.3)
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky
Capacité à Vr, F 650pF @ 0V, 1MHz - 480pF @ 0V, 1MHz -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A 8A 10A 8A
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numéro de produit de base STPSC1006 STPS8 STPSC10 STPS8
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C 175°C (Max) -40°C ~ 175°C 150°C (Max)

Fiche technique STPSC1006D PDF

Téléchargez STPSC1006D PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STPSC1006D - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Conversion 5/Dec/2017.pdf
Feuilles de données
STPSC1006D.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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