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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP9N80K5
STP9N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP9N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP9N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP9N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx9N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 28741

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP9N80K5
STMicroelectronics - STP9N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP9N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base STP9N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP9N80K5

Attributs du produit STP9N80K5 STP95N2LH5 STP9NK50Z STP9N65M2
Modèle de produit STP9N80K5 STP95N2LH5 STP9NK50Z STP9N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 100 V 1817 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 315 pF @ 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 13.4 nC @ 5 V 32 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±22V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 80W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STP9N80 STP95 STP9NK50 STP9N65
Séries MDmesh™ K5 STripFET™ V SuperMESH™ MDmesh™
Tension drain-source (Vdss) 800 V 25 V 500 V 650 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V 4.9mOhm @ 40A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 80A (Tc) 7.2A (Tc) 5A (Tc)

Fiche technique STP9N80K5 PDF

Téléchargez STP9N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP9N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx9N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP9N80K5

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32D-STP9N80K5

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