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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP85NF55
STP85NF55 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP85NF55 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP85NF55
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP85NF55
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP85NF55.pdf
État RoHS
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP85NF55
STMicroelectronics - STP85NF55 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP85NF55

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STP85  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP85NF55

Attributs du produit STP85NF55 STP8N65M5 STP80PF55 STP8N120K5
Modèle de produit STP85NF55 STP8N65M5 STP80PF55 STP8N120K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±16V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 18mOhm @ 40A, 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ II MDmesh™ V STripFET™ II MDmesh™ K5
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 7A (Tc) 80A (Tc) 6A (Tc)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STP85 STP8N STP80P STP8N120
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 13.7 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension drain-source (Vdss) 55 V 650 V 55 V 1200 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 70W (Tc) 300W (Tc) 130W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 690 pF @ 100 V 5500 pF @ 25 V 505 pF @ 100 V

Fiche technique STP85NF55 PDF

Téléchargez STP85NF55 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP85NF55 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Site Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STP EOL 25-Mar-2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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