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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP80NF12
STP80NF12 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP80NF12 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP80NF12
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP80NF12
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP80NF12.pdf
État RoHS
En stock: 21435

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP80NF12
STMicroelectronics - STP80NF12 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP80NF12

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 120 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STP80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP80NF12

Attributs du produit STP80NF12 STP80NF10FP STP80NF55-08 STP80NF55-06FP
Modèle de produit STP80NF12 STP80NF10FP STP80NF55-08 STP80NF55-06FP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 38A (Tc) 80A (Tc) 60A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220FP
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 45W (Tc) 300W (Tc) 45W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STP80 STP80 STP80 STP80N
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 120 V 100 V 55 V 55 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ STripFET™ II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 3850 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 40A, 10V 15mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 40A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique STP80NF12 PDF

Téléchargez STP80NF12 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP80NF12 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STP80NF12.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP80NF12

STMicroelectronics
32D-STP80NF12

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