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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP7NK40Z
STP7NK40Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP7NK40Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP7NK40Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP7NK40Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(D,P)7NK40Z(-1,FP).pdf
État RoHS
En stock: 50290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP7NK40Z
STMicroelectronics - STP7NK40Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP7NK40Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Tc)  
Numéro de produit de base STP7NK40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP7NK40Z

Attributs du produit STP7NK40Z STP7NM60N STP7NK80Z STP7NK30Z
Modèle de produit STP7NK40Z STP7NM60N STP7NK80Z STP7NK30Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 400 V 600 V 800 V 300 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Tc) 5A (Tc) 5.2A (Tc) 5A (Tc)
Séries SuperMESH™ MDmesh™ II SuperMESH™ SuperMESH™
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V 363 pF @ 50 V 1138 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.7A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP7NK40 STP7N STP7NK80 STP7N
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 125W (Tc) 50W (Tc)

Fiche technique STP7NK40Z PDF

Téléchargez STP7NK40Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP7NK40Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
ST(D,P)7NK40Z(-1,FP).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP7NK40Z

STMicroelectronics
32D-STP7NK40Z

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