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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP75NF20
STP75NF20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP75NF20 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP75NF20
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP75NF20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx75NF20.pdf
État RoHS
En stock: 13561

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP75NF20
STMicroelectronics - STP75NF20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP75NF20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base STP75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP75NF20

Attributs du produit STP75NF20 STP75NF75 STP75N3LLH6 STP75NF75FP
Modèle de produit STP75NF20 STP75NF75 STP75N3LLH6 STP75NF75FP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 23.8 nC @ 4.5 V 160 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 75 V 30 V 75 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220FP
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3260 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 2030 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Numéro de produit de base STP75 STP75 STP75N STP75N
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries STripFET™ STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 300W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 37A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 5.9mOhm @ 37.5A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 80A (Tc) 75A (Tc) 80A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack

Fiche technique STP75NF20 PDF

Téléchargez STP75NF20 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP75NF20 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STx75NF20.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP75NF20

STMicroelectronics
32D-STP75NF20

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