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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP70N10F4
STP70N10F4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP70N10F4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP70N10F4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP70N10F4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx70N10F4.pdf
État RoHS
En stock: 5280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP70N10F4
STMicroelectronics - STP70N10F4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP70N10F4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries DeepGATE™, STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)  
Numéro de produit de base STP70  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP70N10F4

Attributs du produit STP70N10F4 STP6NM60N STP6NK90Z STP70NF03L
Modèle de produit STP70N10F4 STP6NM60N STP6NK90Z STP70NF03L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 1V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc) 4.6A (Tc) 5.8A (Tc) 70A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 45W (Tc) 140W (Tc) 100W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 60.5 nC @ 10 V 30 nC @ 5 V
Séries DeepGATE™, STripFET™ MDmesh™ II SuperMESH™ STripFET™ II
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 900 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 420 pF @ 50 V 1350 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STP70 STP6N STP6NK90 STP70
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 30A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V 2Ohm @ 2.9A, 10V 9.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±18V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -

Fiche technique STP70N10F4 PDF

Téléchargez STP70N10F4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP70N10F4 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
STx70N10F4.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP70N10F4

STMicroelectronics
32D-STP70N10F4

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