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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP60NH2LL
STP60NH2LL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP60NH2LL - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP60NH2LL
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP60NH2LL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 24V 40A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP60NH2LL.pdf
État RoHS
En stock: 4750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP60NH2LL
STMicroelectronics - STP60NH2LL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP60NH2LL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base STP60N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP60NH2LL

Attributs du produit STP60NH2LL STP60NE06L-16 STP60NF06 STP62NS04Z
Modèle de produit STP60NH2LL STP60NE06L-16 STP60NF06 STP62NS04Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1330 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±18V ±15V ±20V Clamped
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 16mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 24 V 60 V 60 V 33 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base STP60N STP60N STP60 STP62
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V 70 nC @ 5 V 73 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 62A (Tc)
Séries STripFET™ STripFET™ STripFET™ II MESH OVERLAY™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique STP60NH2LL PDF

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Feuilles de données
STP60NH2LL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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