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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP5NK50Z
STP5NK50Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP5NK50Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP5NK50Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP5NK50Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx5NK50Z(FP,-1).pdf
État RoHS
En stock: 70770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP5NK50Z
STMicroelectronics - STP5NK50Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP5NK50Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Tc)  
Numéro de produit de base STP5NK50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP5NK50Z

Attributs du produit STP5NK50Z STP5NK52ZD STP5NK100Z STP5NK60Z
Modèle de produit STP5NK50Z STP5NK52ZD STP5NK100Z STP5NK60Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 25W (Tc) 125W (Tc) 90W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V 529 pF @ 25 V 1154 pF @ 25 V 690 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STP5NK50 STP5NK52 STP5NK100 STP5NK60
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 500 V 520 V 1000 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Tc) 4.4A (Tc) 3.5A (Tc) 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 3.7Ohm @ 1.75A, 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 16.9 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH3™ SuperMESH™
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STP5NK50Z PDF

Téléchargez STP5NK50Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP5NK50Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
STx5NK50Z(FP,-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STMicroelectronics
32D-STP5NK50Z

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