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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP50NF25
STP50NF25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP50NF25 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP50NF25
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP50NF25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,P)50NF25.pdf
État RoHS
En stock: 26836

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP50NF25
STMicroelectronics - STP50NF25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP50NF25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base STP50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP50NF25

Attributs du produit STP50NF25 STP50NE10 STP4NK80ZFP STP50NE08
Modèle de produit STP50NF25 STP50NE10 STP4NK80ZFP STP50NE08
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 100 V 800 V 80 V
Numéro de produit de base STP50 STP50N STP4NK80 STP50N
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 180W (Tc) 25W (Tc) 150W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 22A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 24mOhm @ 25A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Séries STripFET™ STripFET™ SuperMESH™ -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 50A (Tc) 3A (Tc) 50A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68.2 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V

Fiche technique STP50NF25 PDF

Téléchargez STP50NF25 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP50NF25 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
ST(B,P)50NF25.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP50NF25

STMicroelectronics
32D-STP50NF25

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