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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP4NK50ZD
STP4NK50ZD Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP4NK50ZD - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP4NK50ZD
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP4NK50ZD
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx4NK50ZD(-1).pdf
État RoHS
En stock: 3840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP4NK50ZD
STMicroelectronics - STP4NK50ZD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP4NK50ZD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STP4N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP4NK50ZD

Attributs du produit STP4NK50ZD STP4NK50Z STP4NK60Z STP4NK80ZFP
Modèle de produit STP4NK50ZD STP4NK50Z STP4NK60Z STP4NK80ZFP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STP4N STP4N STP4NK60 STP4NK80
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220FP
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 3A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 800 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STP4NK50ZD PDF

Téléchargez STP4NK50ZD PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP4NK50ZD - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx4NK50ZD(-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP4NK50ZD

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32D-STP4NK50ZD

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