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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP3NK90Z
STP3NK90Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP3NK90Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP3NK90Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP3NK90Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(D,P)3NK90Z(FP,-1).pdf
État RoHS
En stock: 49710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP3NK90Z
STMicroelectronics - STP3NK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP3NK90Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STP3NK90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP3NK90Z

Attributs du produit STP3NK90Z STP3NK60ZFP STP400N4F6 STP3NK90ZFP
Modèle de produit STP3NK90Z STP3NK60ZFP STP400N4F6 STP3NK90ZFP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 20W (Tc) 300W (Tc) 25W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V 311 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base STP3NK90 STP3NK60 STP400 STP3NK90
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 1.7mOhm @ 60A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.7 nC @ 10 V 11.8 nC @ 10 V 377 nC @ 10 V 22.7 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 900 V 600 V 40 V 900 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220FP
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 2.4A (Tc) 120A (Tc) 3A (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ DeepGATE™, STripFET™ VI SuperMESH™

Fiche technique STP3NK90Z PDF

Téléchargez STP3NK90Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP3NK90Z - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Traceability 06/Mar/2017.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
ST(D,P)3NK90Z(FP,-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP3NK90Z

STMicroelectronics
32D-STP3NK90Z

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