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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP32N65M5
STP32N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP32N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP32N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP32N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx32N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 9235

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP32N65M5
STMicroelectronics - STP32N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP32N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base STP32N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP32N65M5

Attributs du produit STP32N65M5 STP30NM30N STP32NM50N STP33N60M2
Modèle de produit STP32N65M5 STP30NM30N STP32NM50N STP33N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STP32N STP30N STP32 STP33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 130mOhm @ 11A, 10V 125mOhm @ 13A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 300 V 500 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V 2500 pF @ 50 V 1973 pF @ 50 V 1781 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 30A (Tc) 22A (Tc) 26A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 45.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries MDmesh™ V MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

Fiche technique STP32N65M5 PDF

Téléchargez STP32N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP32N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx32N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP32N65M5

STMicroelectronics
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