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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP22NF03L
STP22NF03L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP22NF03L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP22NF03L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP22NF03L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP22NF03L.pdf
État RoHS
En stock: 3870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP22NF03L
STMicroelectronics - STP22NF03L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP22NF03L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base STP22N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP22NF03L

Attributs du produit STP22NF03L STP22NM60N STP21NM60ND STP22NS25Z
Modèle de produit STP22NF03L STP22NM60N STP21NM60ND STP22NS25Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc) 135W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Séries STripFET™ II MDmesh™ II FDmesh™ II MESH OVERLAY™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 16A (Tc) 17A (Tc) 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V 1800 pF @ 50 V 2400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±15V ±30V ±25V ±20V
Numéro de produit de base STP22N STP22 STP21N STP22N
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 44 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 600 V 600 V 250 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique STP22NF03L PDF

Téléchargez STP22NF03L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP22NF03L - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STP22NF03L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP22NF03L

STMicroelectronics
32D-STP22NF03L

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