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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP21NM60N
STP21NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP21NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP21NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP21NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx21NM60N(-1).pdf
État RoHS
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP21NM60N
STMicroelectronics - STP21NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP21NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STP21N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP21NM60N

Attributs du produit STP21NM60N STP21NM60ND STP21N65M5 STP20NM65N
Modèle de produit STP21NM60N STP21NM60ND STP21N65M5 STP20NM65N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 270mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V 1800 pF @ 50 V 1950 pF @ 100 V 1280 pF @ 50 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries MDmesh™ FDmesh™ II MDmesh™ V MDmesh™ II
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc)
Numéro de produit de base STP21N STP21N STP21 STP20N
Fonction FET - - - -

Fiche technique STP21NM60N PDF

Téléchargez STP21NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP21NM60N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx21NM60N(-1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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