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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP20NM50FP
STP20NM50FP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP20NM50FP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP20NM50FP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP20NM50FP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STB20NM50(-1), STP20NM50(FP).pdf
État RoHS
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP20NM50FP
STMicroelectronics - STP20NM50FP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP20NM50FP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base STP20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP20NM50FP

Attributs du produit STP20NM50FP STP20NM50FD STP20NM50 STP20NF06L
Modèle de produit STP20NM50FP STP20NM50FD STP20NM50 STP20NF06L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 192W (Tc) 192W (Tc) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V
Séries MDmesh™ FDmesh™ MDmesh™ STripFET™ II
Tension drain-source (Vdss) 550 V 500 V 500 V 60 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base STP20N STP20 STP20 STP20
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220 TO-220 TO-220
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±18V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique STP20NM50FP PDF

Téléchargez STP20NM50FP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP20NM50FP - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STB20NM50(-1), STP20NM50(FP).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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    +00852 9146 4856

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STP20NM50FP

STMicroelectronics
32D-STP20NM50FP

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