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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP200NF04
STP200NF04 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP200NF04 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP200NF04
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP200NF04
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP200NF04, STB200NF04(-1).pdf
État RoHS
En stock: 3880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP200NF04
STMicroelectronics - STP200NF04 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP200NF04

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base STP200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP200NF04

Attributs du produit STP200NF04 STP200N4F3 STP1N105K3 STP20N20
Modèle de produit STP200NF04 STP200N4F3 STP1N105K3 STP20N20
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numéro de produit de base STP200 STP200 STP1N STP20N
Séries STripFET™ II STripFET™ SuperMESH3™ STripFET™ II
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 1050 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 180 pF @ 100 V 940 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 11Ohm @ 600mA, 10V 125mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 1.4A (Tc) 18A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 300W (Tc) 60W (Tc) 90W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique STP200NF04 PDF

Téléchargez STP200NF04 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP200NF04 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STN/B/P 07/Feb/2018.pdf
Feuilles de données
STP200NF04, STB200NF04(-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP200NF04

STMicroelectronics
32D-STP200NF04

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