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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP18N65M5
STP18N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP18N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP18N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP18N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx18N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 30915

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP18N65M5
STMicroelectronics - STP18N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP18N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STP18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP18N65M5

Attributs du produit STP18N65M5 STP18NM60N STP190N55LF3 STP18NM80
Modèle de produit STP18N65M5 STP18NM60N STP190N55LF3 STP18NM80
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ V MDmesh™ II STripFET™ MDmesh™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STP18 STP18 STP190 STP18
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 13A (Tc) 120A (Tc) 17A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V 1000 pF @ 50 V 6200 pF @ 25 V 2070 pF @ 50 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 80 nC @ 5 V 70 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 312W (Tc) 190W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±18V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 55 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 3.7mOhm @ 30A, 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V

Fiche technique STP18N65M5 PDF

Téléchargez STP18N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP18N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STx18N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP18N65M5

STMicroelectronics
32D-STP18N65M5

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