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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP16NS25
STP16NS25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP16NS25 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP16NS25
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP16NS25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP16NS25(FP).pdf
État RoHS
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP16NS25
STMicroelectronics - STP16NS25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP16NS25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base STP16N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP16NS25

Attributs du produit STP16NS25 STP16NF06L STP16NS25FP STP16NK65Z
Modèle de produit STP16NS25 STP16NF06L STP16NS25FP STP16NK65Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries MESH OVERLAY™ STripFET™ II MESH OVERLAY™ SuperMESH™
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 45W (Tc) 40W (Tc) 190W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V, 5V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V 90mOhm @ 8A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 500mOhm @ 6.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
Tension drain-source (Vdss) 250 V 60 V 250 V 650 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Numéro de produit de base STP16N STP16 STP16N STP16N
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 13A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 83 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V 345 pF @ 25 V 1270 pF @ 25 V 2750 pF @ 25 V

Fiche technique STP16NS25 PDF

Téléchargez STP16NS25 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP16NS25 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STP16NS25(FP).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP16NS25

STMicroelectronics
32D-STP16NS25

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