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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP14NF10
STP14NF10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP14NF10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP14NF10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP14NF10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP14NF10.pdf
État RoHS
En stock: 4980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP14NF10
STMicroelectronics - STP14NF10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP14NF10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STP14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP14NF10

Attributs du produit STP14NF10 STP14NF12FP STP14NF12 STP14NM65N
Modèle de produit STP14NF10 STP14NF12FP STP14NF12 STP14NM65N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 8.5A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Numéro de produit de base STP14 STP14N STP14N STP14N
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ II MDmesh™ II
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 25W (Tc) 60W (Tc) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 7A, 10V 180mOhm @ 7A, 10V 180mOhm @ 7A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 120 V 120 V 650 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STP14NF10 PDF

Téléchargez STP14NF10 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP14NF10 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STF STP 11-Nov-2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP14NF10

STMicroelectronics
32D-STP14NF10

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