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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP11N52K3
STP11N52K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP11N52K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP11N52K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP11N52K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx11N52K3.pdf
État RoHS
En stock: 28016

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP11N52K3
STMicroelectronics - STP11N52K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP11N52K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 510mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STP11N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP11N52K3

Attributs du produit STP11N52K3 STP110N10F7 STP11NK50Z STP110N8F7
Modèle de produit STP11N52K3 STP110N10F7 STP11NK50Z STP110N8F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 525 V 100 V 500 V 80 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 510mOhm @ 5A, 10V 7mOhm @ 55A, 10V 520mOhm @ 4.5A, 10V 7.5mOhm @ 40A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc) 80A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc) 170W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 250µA
Numéro de produit de base STP11N STP110 STP11 STP110
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 46.8 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 50 V 5500 pF @ 50 V 1390 pF @ 25 V 3435 pF @ 40 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries SuperMESH3™ DeepGATE™, STripFET™ VII SuperMESH™ STripFET™
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique STP11N52K3 PDF

Téléchargez STP11N52K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP11N52K3 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx11N52K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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STP11N52K3

STMicroelectronics
32D-STP11N52K3

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