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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTLD125N4F6AG
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STLD125N4F6AG - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STLD125N4F6AG
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STLD125N4F6AG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
STLD125N4F6AG.pdf
État RoHS
En stock: 21056

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STLD125N4F6AG
STMicroelectronics - STLD125N4F6AG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STLD125N4F6AG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) Dual Side  
Séries STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base STLD125  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STLD125N4F6AG

Attributs du produit STLD125N4F6AG STLD126N4F6AG STLD257N4F7AG STLC7546CFNTR
Modèle de produit STLD125N4F6AG STLD126N4F6AG STLD257N4F7AG STLC7546CFNTR
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) Dual Side - PowerFlat™ (5x6) Dual Side -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) - 158W (Tc) -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount -
type de FET N-Channel - N-Channel -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) - 120A (Tc) -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 10 V - 5400 pF @ 25 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V - 66.5 nC @ 10 V -
Séries STripFET™ F6 - Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6.5V, 10V - 6.5V, 10V -
Package / Boîte 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN -
Numéro de produit de base STLD125 STLD126 STLD257 -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - 4V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V - 1.1mOhm @ 60A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 40 V - 40 V -

Fiche technique STLD125N4F6AG PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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