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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL7N60M2
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL7N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL7N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL7N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL7N60M2 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 43990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL7N60M2
STMicroelectronics - STL7N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL7N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFLAT™ (5x5)  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 67W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STL7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL7N60M2

Attributs du produit STL7N60M2 STL80N3LLH6 STL75N8LF6 STL7N10F7
Modèle de produit STL7N60M2 STL80N3LLH6 STL75N8LF6 STL7N10F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V ±20V +21V, -16V ±20V
Séries MDmesh™ DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 80A (Tc) 75A (Tc) 7A (Tj)
Package composant fournisseur PowerFLAT™ (5x5) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2A, 10V 5.2mOhm @ 10.5A, 10V 7.4mOhm @ 9A, 10V 35mOhm @ 3.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 125 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V 1690 pF @ 25 V 6895 pF @ 25 V 920 pF @ 50 V
Numéro de produit de base STL7 STL80 STL75 STL7
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 67W (Tc) 60W (Tc) 80W (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 600 V 30 V 80 V 100 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -

Fiche technique STL7N60M2 PDF

Téléchargez STL7N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL7N60M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STL7N60M2 Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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