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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL36N60M6
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL36N60M6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL36N60M6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL36N60M6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL36N60M6.pdf
État RoHS
En stock: 7877

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL36N60M6
STMicroelectronics - STL36N60M6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL36N60M6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV  
Séries MDmesh™ M6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base STL36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL36N60M6

Attributs du produit STL36N60M6 STL34N65M5 STL38N65M5 STL36N55M5
Modèle de produit STL36N60M6 STL34N65M5 STL38N65M5 STL36N55M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 100 V 2700 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V 2670 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.3 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 650 V 550 V
Numéro de produit de base STL36 STL34 STL38 STL36
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 22.5A (Tc) 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 22.5A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Séries MDmesh™ M6 MDmesh™ V MDmesh™ V MDmesh™ V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.5A, 10V 120mOhm @ 12A, 10V 105mOhm @ 12.5A, 10V 90mOhm @ 16.5A, 10V

Fiche technique STL36N60M6 PDF

Téléchargez STL36N60M6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL36N60M6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
Conception / spécification PCN
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
STL36N60M6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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