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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL22N60DM6
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL22N60DM6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL22N60DM6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL22N60DM6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL22N60DM6.pdf
État RoHS
En stock: 28396

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL22N60DM6
STMicroelectronics - STL22N60DM6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL22N60DM6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV  
Séries MDmesh™ M6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 265mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 102W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base STL22  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL22N60DM6

Attributs du produit STL22N60DM6 STL210N4F7AG STL23NM50N STL22N60M6
Modèle de produit STL22N60DM6 STL210N4F7AG STL23NM50N STL22N60M6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 265mOhm @ 6.5A, 10V 1.6mOhm @ 16A, 10V 210mOhm @ 7A, 10V 250mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V 3600 pF @ 25 V 1330 pF @ 50 V 800 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 120A (Tc) 2.8A (Ta), 14A (Tc) 10A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 102W (Tc) 150W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 57W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.6 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STL22 STL210 STL23 STL22
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) HV
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 600 V 40 V 500 V 600 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Séries MDmesh™ M6 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MDmesh™ II MDmesh™ M6

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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