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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL13N60M2
STL13N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL13N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL13N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL13N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL13N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 28316

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL13N60M2
STMicroelectronics - STL13N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL13N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base STL13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL13N60M2

Attributs du produit STL13N60M2 STL150N3LLH6 STL12N60M2 STL12N65M5
Modèle de produit STL13N60M2 STL150N3LLH6 STL12N60M2 STL12N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 30 V 600 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 80W (Tc) 52W (Tc) 48W (Tc)
Numéro de produit de base STL13 STL150 STL12 STL12
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Séries MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ M2 MDmesh™ V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 150A (Tc) 6.5A (Tc) 8.5A (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V 2.4mOhm @ 16.5A, 10V 495mOhm @ 4.5A, 10V 530mOhm @ 4.25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V 4040 pF @ 25 V 538 pF @ 100 V 644 pF @ 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Fiche technique STL13N60M2 PDF

Téléchargez STL13N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL13N60M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
STL13N60M2.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL13N60M2

STMicroelectronics
32D-STL13N60M2

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