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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTI57N65M5
STI57N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STI57N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STI57N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STI57N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STx57N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STI57N65M5
STMicroelectronics - STI57N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STI57N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  
Numéro de produit de base STI57N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STI57N65M5

Attributs du produit STI57N65M5 STI55NF03L STI5N52U STi5528GWC
Modèle de produit STI57N65M5 STI55NF03L STI5N52U STi5528GWC
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 55A (Tc) 4.4A (Tc) -
Vgs (Max) ±25V ±16V ±30V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 16.9 nC @ 10 V -
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK I2PAK -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -60°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries MDmesh™ V STripFET™ II UltraFASTmesh™ -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V 1265 pF @ 25 V 529 pF @ 25 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 30 V 525 V -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V 13mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V -
Emballer Tube Tube Tube -
Numéro de produit de base STI57N STI55 STI5N -

Fiche technique STI57N65M5 PDF

Téléchargez STI57N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STI57N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx57N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STI57N65M5

STMicroelectronics
32D-STI57N65M5

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