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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTI260N6F6
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STI260N6F6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STI260N6F6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STI260N6F6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STI260N6F6, STP260N6F6.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 8533

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STI260N6F6
STMicroelectronics - STI260N6F6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STI260N6F6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base STI260N  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STI260N6F6

Attributs du produit STI260N6F6 STI33N60M2 STI24NM60N STI32N65M5
Modèle de produit STI260N6F6 STI33N60M2 STI24NM60N STI32N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 25 V 1781 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V 3320 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V 45.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Séries DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STI260N STI33 STI24 STI32N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 75 V 600 V 600 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 26A (Tc) 17A (Tc) 24A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±25V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 190W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
Package composant fournisseur I2PAK I2PAK (TO-262) I2PAK I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 60A, 10V 125mOhm @ 13A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V

Fiche technique STI260N6F6 PDF

Téléchargez STI260N6F6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STI260N6F6 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STI260N6F6, STP260N6F6.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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