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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH245N75F3-6
STH245N75F3-6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH245N75F3-6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH245N75F3-6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH245N75F3-6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
STH245N75F3-6.pdf
État RoHS
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH245N75F3-6
STMicroelectronics - STH245N75F3-6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH245N75F3-6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur H2PAK-6  
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base STH245  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH245N75F3-6

Attributs du produit STH245N75F3-6 STH240N75F3-2 STH210N75F6-2 STH240N10F7-2
Modèle de produit STH245N75F3-6 STH240N75F3-2 STH210N75F6-2 STH240N10F7-2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base STH245 STH240 STH210 STH240
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 11800 pF @ 25 V 11550 pF @ 25 V
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur H2PAK-6 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 171 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V 3mOhm @ 90A, 10V 2.8mOhm @ 90A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V

Fiche technique STH245N75F3-6 PDF

Téléchargez STH245N75F3-6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STH245N75F3-6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 09/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
STH245N75F3-6.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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