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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH13N120K5-2AG - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH13N120K5-2AG
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH13N120K5-2AG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STH13N120K5-2AG.pdf
État RoHS
En stock: 4539

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics - STH13N120K5-2AG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH13N120K5-2AG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur H2Pak-2  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STH13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH13N120K5-2AG

Attributs du produit STH13N120K5-2AG STH12N120K5-2 STH110N10F7-2 STH110N10F7-6
Modèle de produit STH13N120K5-2AG STH12N120K5-2 STH110N10F7-2 STH110N10F7-6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Numéro de produit de base STH13 STH12 STH110 STH110
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 250W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc)
Package composant fournisseur H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2 H2PAK-6
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 1370 pF @ 100 V 5117 pF @ 50 V 5117 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fonction FET - - - -
Séries - MDmesh™ K5 DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VII
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V 6.5mOhm @ 55A, 10V 6.5mOhm @ 55A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V

Fiche technique STH13N120K5-2AG PDF

Téléchargez STH13N120K5-2AG PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STH13N120K5-2AG - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022.pdf
Feuilles de données
STH13N120K5-2AG.pdf
Assemblage / origine PCN
STH13N120K5-2AG 23/Dec/2022.pdf

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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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