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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGWA80H65DFB
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGWA80H65DFB - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGWA80H65DFB
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGWA80H65DFB
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STGx(x)80H65DFB.pdf
État RoHS
En stock: 4440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGWA80H65DFB
STMicroelectronics - STGWA80H65DFB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGWA80H65DFB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A  
Condition de test 400V, 80A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns  
énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 85 ns  
Puissance - Max 469 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 414 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A  
Numéro de produit de base STGWA80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGWA80H65DFB

Attributs du produit STGWA80H65DFB STGWA50M65DF2 STGWT20HP65FB STGWT20H60DF
Modèle de produit STGWA80H65DFB STGWA50M65DF2 STGWT20HP65FB STGWT20H60DF
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A 2.1V @ 15V, 50A 2V @ 15V, 20A 2V @ 15V, 20A
gate charge 414 nC 150 nC 120 nC 115 nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A 150 A 80 A 80 A
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Séries - M HB -
énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 880µJ (on), 1.57mJ (off) 170µJ (off) 209µJ (on), 261µJ (off)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STGWA80 STGWA50 STGWT20 STGWT20
Puissance - Max 469 W 375 W 168 W 167 W
Condition de test 400V, 80A, 10Ohm, 15V 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V 400V, 20A, 10Ohm, 15V 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns 42ns/130ns -/139ns 42.5ns/177ns
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads TO-247 Long Leads TO-3P TO-3P
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 650 V 650 V 600 V
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A 80 A 40 A 40 A
Temps de recouvrement inverse (trr) 85 ns 162 ns 140 ns 90 ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard

Fiche technique STGWA80H65DFB PDF

Téléchargez STGWA80H65DFB PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGWA80H65DFB - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Site 06/Apr/2023.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult IGBT OBS 21/Dec/2017.pdf STGWA80H65DFB 15/May/2017.pdf
Feuilles de données
STGx(x)80H65DFB.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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