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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGB10NB60ST4
STGB10NB60ST4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGB10NB60ST4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGB10NB60ST4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGB10NB60ST4
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 29A 80W D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STG(B,P)10NB60S.pdf
État RoHS
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGB10NB60ST4
STMicroelectronics - STGB10NB60ST4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGB10NB60ST4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A  
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs  
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerMESH™  
Puissance - Max 80 W  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 33 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 29 A  
Numéro de produit de base STGB10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGB10NB60ST4

Attributs du produit STGB10NB60ST4 STGB10NB40LZT4 STGB10M65DF2 STGB10NB37LZT4
Modèle de produit STGB10NB60ST4 STGB10NB40LZT4 STGB10M65DF2 STGB10NB37LZT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Courant - Collecteur (Ic) (max) 29 A 20 A 20 A 20 A
Puissance - Max 80 W 150 W 115 W 125 W
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 40 A 40 A 40 A
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off) 2.4mJ (on), 5mJ (off) 120µJ (on), 270µJ (off) 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V 328V, 10A, 1kOhm, 5V 400V, 10A, 22Ohm, 15V 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 440 V 650 V 440 V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs 1.3µs/8µs 19ns/91ns 1.3µs/8µs
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A 1.8V @ 4.5V, 10A 2V @ 15V, 10A 1.8V @ 4.5V, 10A
type de IGBT - - Trench Field Stop -
Numéro de produit de base STGB10 STGB10 STGB10 STGB10
gate charge 33 nC 28 nC 28 nC 28 nC
Séries PowerMESH™ Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ - PowerMESH™

Fiche technique STGB10NB60ST4 PDF

Téléchargez STGB10NB60ST4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGB10NB60ST4 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STG(B,P)10NB60S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGB10NB60ST4

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32D-STGB10NB60ST4

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