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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF8N80K5
STF8N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF8N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF8N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF8N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF(I)8N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 38010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF8N80K5
STMicroelectronics - STF8N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF8N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STF8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF8N80K5

Attributs du produit STF8N80K5 STF8NM60ND STF8NM50N STF8N60DM2
Modèle de produit STF8N80K5 STF8NM60ND STF8NM50N STF8N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base STF8 STF8 STF8 STF8
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FPAB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 600mOhm @ 4A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 560 pF @ 50 V 364 pF @ 50 V 449 pF @ 100 V
Séries SuperMESH5™ FDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ DM2
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 7A (Tc) 5A (Tc) 8A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 500 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -

Fiche technique STF8N80K5 PDF

Téléchargez STF8N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF8N80K5 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
STF(I)8N80K5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF8N80K5

STMicroelectronics
32D-STF8N80K5

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