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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF7NM80
STF7NM80 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF7NM80 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF7NM80
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF7NM80
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx7NM80(-1) Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 20892

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF7NM80
STMicroelectronics - STF7NM80 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF7NM80

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STF7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF7NM80

Attributs du produit STF7NM80 STF7NM50N STF7N80K5 STF80N10F7
Modèle de produit STF7NM80 STF7NM50N STF7N80K5 STF80N10F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc) 40A (Tc)
Séries MDmesh™ MDmesh™ II SuperMESH5™ DeepGATE™, STripFET™ VII
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 400 pF @ 50 V 360 pF @ 100 V 3100 pF @ 50 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4.5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STF7 STF7N STF7 STF80N
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V 780mOhm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 800 V 100 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)

Fiche technique STF7NM80 PDF

Téléchargez STF7NM80 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF7NM80 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Feuilles de données
STx7NM80(-1) Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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